ZDNet-ek aipatutako industria-iturrien arabera, Samsung Electronics NRD-K Line 2-ren helburua berriro aztertzen ari da, Giheungeko campusean eraikitzen ari dena. Enpresak jatorriz planificatuta zegoen ikerketa eta garapen-lerroa 2nm logika base diesak hurrengo belaunaldiko memoria altu-bandako (HBM) fabrikatzeko dedikatutako foundry ekoizpen linean bihurtzea aztertzen ari da. Mugimenduak etorkizuneko HBM eskari azkar hazkorretarako prestatzeko asmoa du, Nvidia bezalako bezero handietatik.
ZDNet-ek aipatutako industria-iturrien arabera, Samsung Electronics NRD-K Line 2-ren helburua berriro aztertzen ari da, Giheungeko campusean eraikitzen ari dena. Enpresak jatorriz planificatuta zegoen ikerketa eta garapen-lerroa 2nm logika base diesak hurrengo belaunaldiko memoria altu-bandako (HBM) fabrikatzeko dedikatutako foundry ekoizpen linean bihurtzea aztertzen ari da. Mugimenduak etorkizuneko HBM eskari azkar hazkorretarako prestatzeko asmoa du, Nvidia bezalako bezero handietatik.
NRD-K Line 2 aurreratua prozesu garapenarako hasiera batean diseinatu zen. Plangintza berrien arabera, instalazioak batez ere HBM produktuen eta HBM5-ren pertsonalizatutako base diesak hornituko ditu funtzionatzen hasi ondoren. Samsungek HBM5 base diesak 2nm prozesu bat erabiliz fabrikatzea erabaki du, bere gate-all-around (GAA) arkitekturan oinarrituta. Hurrengo belaunaldiko produktuek HBM4E-arekin baino %50 baino gehiagoko datuen transferentzia-tasa eskaintzea espero da, eta horrek tradizionalak diren base-die diseinuak banda-zabalera eta potentzia-kontsumo eskaerak betetzeko ezinbestekoak egingo ditu. Seoul Economic Daily-k aurretik jakinarazi zuen Samsungek HBM5 irtenbidearen xehetasunak publikoan lehen aldiz aurkeztu zituela aurten ekainaren lehenengo astean.
Lerroa 2028ko bigarren seihilekoan funtzionatzeko prest izatea aurreikusten da. Iturriek diotenez, instalazioak erlaxazio txikia duenez, “send-fab” modeloan funtzionatuko du seguruenik, laguntzaile fabrikazio planta gisa. Lurrunezko wafer-en ekoizpen prozesu osoa modu independentean kudeatu beharrean, Samsungen lehen mailako produkzio-lerroetatik wafers jasoko ditu eta prozesu pauso hautatu batzuk baino ez ditu egingo. Instalazioak Samsungen aurratutako nodo-kapazitatea osatuko du, produkzio-lerro independente eta osorik funtzionatu beharrean.
Proiektua bi urte inguru urrun dago helburu nahikoa izateko, eta azken plana oraindik ez da onartu. Barne-proposamena ia osatuta izanik ere, ekipamendu erosketa aginduak ez dira eman. Inbertsio-zenbatekoa eta instalazioaren azken helburua oraindik egokitu daitezke seikurteko merkatuaren eskaeraren aldaketetara erantzuteko.
NRD-K aurreratua ikerketa eta garapen konplexu integratua da, Samsungek 20 trilloi won inguruko inbertsioarekin eraikitzen ari dena. Webguneak hiru ekoizpen lerro izatea espero da. 1. lerroa 2024ko amaieran amaitu zen, eta 2. lerroaren leku-prestatze aurrekoa urte honetan hasi zen eta fundazio lana une honetan egiten ari da.
Samsungen R&D lerro bat HBM base diesentzako fabrikazio lerro dedikatuta bihurtzearen aukera, memoria eta foundry negozioen arteko koordinazioa indartzeko estrategia islatzen du. HBM5 eta Nvidia-ren hurrengo belaunaldiko Feynman GPUentzat diseinatu diren pertsonalizatutako HBM produktuek logika base dies errendimendu handikoak beharko dituzte. Samsungek 2nm base dies hauek etxean ekoitz ditzake, lehiakortasun posizioa indartzea eta HBM osagaien ekoizpen kapazitatea hobeto kontrolatzea lortuko luke.